Siliziumkarbid in der Energiespeicherindustrie
Im Bereich der erneuerbaren Energien sind wir stolz darauf, innovative und skalierbare Lösungen für die Energiespeicherung in Haushalten und Unternehmen anzubieten. Unsere flexiblen Mikronetze bieten nicht nur eine zuverlässige Energiequelle, sondern auch die Möglichkeit, die Energieversorgung unabhängig vom zentralen Netz zu gestalten.
Ob für ländliche Gebiete, abgelegene Standorte oder urbane Umgebungen – mit unseren Lösungen sind Sie für die Zukunft der Energieversorgung bestens gerüstet. Unsere Produkte zeichnen sich durch ihre Effizienz, Langlebigkeit und die einfache Integration in bestehende Systeme aus.
Werkstoffe auf der Basis von Siliciumcarbid (SiC, auch Siliziumkarbid genannt) sind erst in jüngster Zeit als Konstruktionswerkstoffe für den Maschinenbau und die Energietechnik entdeckt worden. Siliziumkarbid ist der leichteste (seine Dichte liegt je nach Porosität zwischen 2,6 und 3,2 g/cm³), aber auch der härteste keramische Werkstoff.
Was sind die Vorteile von Siliziumkarbid?
Sie sind klein, leistungsfähig und extrem effizient: Halbleiter aus Siliziumkarbid heben die Leistungselektronik in Batterien und Sensoren auf eine neue Stufe und unterstützen so den Durchbruch der Elektromobilität und die Digitalisierung in der Industrie maßgeblich. Die Vorteile im Überblick.
Wie wirkt sich Siliziumkarbid auf die Energiewende aus?
Hocheffiziente Halbleiter mit Siliziumkarbid spielen eine Schlüsselrolle für die Energiewende. Auch in Deutschland werden Produktionskapazitäten ausgebaut. Siliziumkarbid-Wafer bei der Herstellung. (This article is also available in English)
Was ist der Unterschied zwischen Silizium und Gan?
Bei Silizium ist die Bandlücke mit 1,1 Elektronenvolt (eV) relativ gering. Das ist für Solarzellen vorteilhaft, weil Licht aus dem sichtbaren Spektrum ausreicht, um Ladungsträger vom Valenz- in das Leitungsband anzuheben. SiC und GaN haben mit 3,2 bis 3,4 eV hingegen eine dreimal so hohe Bandlücke.
Was ist der Unterschied zwischen Silizium und Halbleiter?
Halbleiter liegen dazwischen: Mit Energie von außen, etwa in Form von Wärme, Licht oder einer elektrischen Spannung, werden gebundene Elektronen zu freien. Dabei springen sie von einem niedrigen Energieniveau (Valenzband) auf ein höheres (Leitungsband). Bei Silizium ist die Bandlücke mit 1,1 Elektronenvolt (eV) relativ gering.
Was sind die Vorteile von Silizium-IGBT-Schaltungen?
Sie zeichnen sich durch einen deutlich höheren Wirkungsgrad im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-IGBT-Schaltungen aus und bieten zahlreiche weitere Vorteile wie Temperaturstabilität und geringere Verlustleistung.
Warum sind Siliziumkristalle teurer als normale?
Für normale Siliziumkristalle reichen hingegen rund 1500 Grad Celsius aus. dauert allein die Züchtung der Siliziumkarbid-Kristalle im Ofen. Das ist neben dem deutlich höheren Energieaufwand einer der Gründe, warum sie teurer sind als gewöhnliche Silizium-Kristalle. Diese werden in nur zwei Tagen gezüchtet.
