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Im Bereich der erneuerbaren Energien sind wir stolz darauf, innovative und skalierbare Lösungen für die Energiespeicherung in Haushalten und Unternehmen anzubieten. Unsere flexiblen Mikronetze bieten nicht nur eine zuverlässige Energiequelle, sondern auch die Möglichkeit, die Energieversorgung unabhängig vom zentralen Netz zu gestalten.
Ob für ländliche Gebiete, abgelegene Standorte oder urbane Umgebungen – mit unseren Lösungen sind Sie für die Zukunft der Energieversorgung bestens gerüstet. Unsere Produkte zeichnen sich durch ihre Effizienz, Langlebigkeit und die einfache Integration in bestehende Systeme aus.
The chip size is optimized so that the thermal resistance is lower and a power module with RGA IGBT runs cooler. This allows for an increase of power or a reduction in cooling. Additionally, while typical Generation 7 IGBTs desaturate at twofold nominal current, the RGA IGBT can handle threefold nominal current, thus offering higher peak current tolerance.
Hitachi Energy's IGBT power modules are available from 1700 to 6500 volt as single, dual / phase-leg, chopper IGBT and dual diode modules. The high-power HiPak IGBT modules feature low losses combined with soft-switching performance and record-breaking Safe Operating Area (SOA).
Their effective cooperation allows high efficiency energy utilization. With rapid development and maturity of both semiconductor materials and microelectronics process technologies, the third-generation power chips, represented by insulated-gate bipolar transistor (IGBT), has opened up a new area in the power semiconductor field .
With regard to the device basic structure, an IGBT is a kind of compound power semiconductor device combined with a bipolar junction transistor (BJT) and a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET).
Hitachi Energy's high-power HiPak IGBT power modules are available from 1700 to 6500 volt as single, dual / phase-leg, chopper IGBT and dual diode modules.
With the combination of an easily driven metal-oxide-semiconductor (MOS) gate and low conduction loss, IGBTs quickly replaced power bipolar transistors as the device of choice for high-current and high-voltage applications. Figure 1. IGBT cross-section and equivalent circuit.
The IGBT has become a popular choice of power semiconductor device for a wide range of industrial power-conversion applications due to technological advancement such as rugged switching characteristics, low losses, and simple gate drives.
Die Nutzung von Solarenergie zur Stromspeicherung gewinnt in vielen Bereichen immer mehr an Bedeutung. Unsere maßgeschneiderten Lösungen bieten innovative und flexible Möglichkeiten für sowohl private Haushalte als auch gewerbliche Anwendungen. Vom autarken Betrieb bis hin zu intelligenten Netzlösungen, unsere Systeme garantieren eine zuverlässige und nachhaltige Energieversorgung für eine Vielzahl von Einsatzbereichen.
Modulare Solarspeichersysteme, die leicht transportiert werden können – ideal für Off-Grid-Einsätze oder als Notstromlösung bei Ausfällen.
Unsere vorkonzipierten Containerlösungen bieten eine leistungsstarke Kombination aus PV-Technologie und Energiespeichern – ideal für den Betrieb in Unternehmen und gewerblichen Bereichen.
Wir bieten leistungsstarke Energiespeicherlösungen für industrielle Anwendungen, die eine stabile Stromversorgung und eine effiziente Nutzung von erneuerbaren Energien ermöglichen.
Wir bieten eine breite Palette von Lösungen, die die Bedürfnisse von Haushalten und Unternehmen gleichermaßen abdecken – von der Planung bis zur Lieferung von Energiespeichersystemen, die zuverlässig und nachhaltig arbeiten, unabhängig von den spezifischen Anforderungen des Standorts.
Wir bieten maßgeschneiderte Beratung für die Planung und Entwicklung von Solaranlagen und Energiespeichersystemen, die perfekt auf Ihre spezifischen Bedürfnisse zugeschnitten sind.
Unsere Experten integrieren Ihre Solaranlage und Speichersysteme nahtlos in bestehende Infrastruktur, um eine effiziente und zuverlässige Energieversorgung zu gewährleisten.
Mit modernen Algorithmen optimieren wir Ihre Energieverteilung und -nutzung, um höchste Effizienz und minimale Kosten zu erreichen.
Unsere Expertise in der internationalen Logistik stellt sicher, dass Ihre Solarsysteme termingerecht und effizient an jedem Standort weltweit geliefert werden.
Wir bieten maßgeschneiderte Energiespeicherlösungen für sowohl private Haushalte als auch industrielle Anwendungen. Diese fortschrittlichen Systeme ermöglichen eine effiziente Nutzung von Solarenergie, indem sie eine zuverlässige und flexible Stromversorgung gewährleisten – unabhängig vom Stromnetz. Unsere Lösungen sind skalierbar und lassen sich einfach in bestehende Infrastrukturen integrieren, um den Energieverbrauch zu optimieren und Kosten zu senken.
Ideal für Haushalte und Unternehmen, die eine zuverlässige und effiziente Speicherung von Solarenergie benötigen, auch in abgelegenen oder netzunabhängigen Regionen.
Ein innovatives System zur Speicherung von Solarstrom für Unternehmen, das sowohl Netz- als auch netzunabhängige Nutzungsmöglichkeiten bietet und die Effizienz maximiert.
Entwickelt für den Einsatz in anspruchsvollen industriellen Umgebungen, bietet dieses System eine unterbrechungsfreie Stromversorgung für kritische Betriebsprozesse.
Ein System zur effizienten Kombination von Solarstromerzeugung und -speicherung, das perfekt für Haushalte, gewerbliche und industrielle Anwendungen geeignet ist.
Ein tragbares, flexibles System für abgelegene Standorte oder kurzfristige Projekte, das sofortigen Zugang zu Solarenergie ermöglicht.
Ein hochentwickeltes System, das Solarstrombatterien mit intelligenten Algorithmen überwacht und so die Systemzuverlässigkeit und Effizienz im Laufe der Zeit verbessert.
Eine flexible und skalierbare Speicherlösung für Solarenergie, ideal für sowohl private als auch gewerbliche Installationen.
Ein fortschrittliches System, das Echtzeitdaten zur Leistungsanalyse liefert und hilft, die Effizienz von Solarstromsystemen zu optimieren.
The chip size is optimized so that the thermal resistance is lower and a power module with RGA IGBT runs cooler. This allows for an increase of power or a reduction in cooling. Additionally, while typical Generation 7 IGBTs desaturate at twofold nominal current, the RGA IGBT can handle threefold nominal current, thus offering higher peak current tolerance.
E-Mail →Solar- und Energiespeicher-Systeme; (Nominalstrom 1400 A) und 1700 V (Nominalstrom 1000 A und 1400 A) sowie in NCP-Topologie mit 1200 V-IGBTs (1200 A und 1400 A Nominalstrom) gefertigt. Hohe Verfügbarkeit wird durch Multiple-Sourcing der IGBT Chips sowie durch Verwendung von CAL-Dioden gewährleistet.
E-Mail →The developed chip is a reverse conducting or Bimode IGBT that has been optimized for low conduction losses re-sulting in a 30% improvement of the current han-dling capability with
E-Mail →Hitachi Energy''s IGBT power modules are available from 1700 to 6500 volt as single, dual / phase-leg, chopper IGBT and dual diode modules. The high-power HiPak IGBT modules feature low losses combined with soft-switching
E-Mail →Solar- und Energiespeicher-Systeme; Hochintegrierter IGBT-Treiber: SKYPER 12 press-fit. Als Schnittstelle zwischen dem Leistungsmodul und der Steuerelektronik ist ein Gate Treiber ein entscheidender Aspekt, um die gewünschte Systemleistung zu erreichen. Neue Chip-Generationen ermöglichen ein schnelleres Schalten, was ein verbessertes
E-Mail →Im Powerbank-Test stellen wir Ihnen die besten tragbaren Akkus vor. Welches Gerät eine hohe Kapazität hat, verraten wir Ihnen hier. Weitere Informationen!
E-Mail →With rapid development and maturity of both semiconductor materials and microelectronics process technologies, the third-generation power chips, represented by
E-Mail →Energiespeicher schwindet der Kostennachteil einer . Bordnetzt opologi e mit Traktionss pannu ngsw andler und . Fig. 7 shows, as an example, the total chip area (IGBT plus diode area) needed
E-Mail →Energiespeicher; E-Mobilität; Warum Danfoss? in SiC Anwendungen; Danfoss besitzt ein erstklassiges SiC-Kompentenzzentrum in München; Wählen Sie Ihren Chip – wir sind völlig kompatibel Verwandte Produkte. Danfoss IGBT-Leistungsmodule. Danfoss entwickelt kundenspezifische IGBT-Leistungsmodule, die genau zu Ihren
E-Mail →IGBT power modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, offering a compact and efficient solution for high-power applications. They provide benefits such as reduced power loss, high thermal stability and robust performance under demanding conditions, making them the most prevalent power modules
E-Mail →SiC-MOSFET trifft IGBT Die neue Generation 1500-V-Photovoltaikanlagen und Energiespeicher stellt hohe Anforderungen an das Wechselrichterdesign. Um diese zu erfüllen, lohnt es sich, SiC-MOSFETs mit IGBTs zu kombinieren. beim identischen nominalen Chip
E-Mail →3 11-2019 IGBT-basic know-how IGBT: a simple technology The most basic function of an IGBT is the fastest possible switching of electric currents, thus achieving the lowest
E-Mail →IGBT modules belonging to the PrimePACK™ family equipped with the 4th generation of IGBT/FWD chips pose a suitable solution. This IGBT module family includes IGBTs in half
E-Mail →Renesas'' AE4 IGBTs for automotive applications use a unique trench gate configuration in its process structure. These devices achieve low saturation voltage without sacrificing robustness and also have low switching losses. This 1200V/200A IGBT is optimized for high-power applications such as hybrid and electric vehicle drive inverters.
E-Mail →Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist das wichtigste Halbleiter-Leistungsbauelement für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich für Spannungen > 400 V. Um seine Effizienz bzgl.Schalt- und Durchlassverhalten zu verbessern, konzentriert sich das ISIT auf die Entwicklung von ultradünnen Feldstopp IGBTs.
E-Mail →Our portfolio comprises cutting-edge IGBT power modules in different product families, configurations, current ratings as well as IGBT chip generations for an almost infinite number of
E-Mail →Die Vorderseiten der Chips (IGBT: Gate- und Emitter, Diode: Anode) sind mittels paralleler Aluminium-Bonddrähte zu entsprechenden Pads des DBC-Substrats kontaktiert. Auf diese Pads sind entweder die Modulanschlüsse aufgelötet oder es werden Drahtbondverbindungen zu mechanisch im Modulgehäuse verankerten Anschlüssen hergestellt.
E-Mail →Diese IGBT-Module enthalten zusätzliche Intelligenz in Form einer integrierten Ansteuer- und Schutzbeschaltung. Da diese Schaltung auf Signale und Meßwerte direkt vom IGBT-Chip zugreift, ist eine optimale Ansteuerung und ein effektiver, schnell auslösender Schutz realisierbar. Energiespeicher Signal Management Leistungselektronik
E-Mail →IGBT Leistungsschalter; Passive Bauteile. SUPERCAP Zellen. Miniaturzellen ultradünn; Kleinzellen 1F - 100F; Mittlere Zellen 100F - 700F; Chip-Typ mit höherer Kapazität bei größeren Gehäusen. Entwickelt für die Oberflächenmontage auf dicht bestückten Platinen. Kompatibel mit SMT-Ausrüstung.
E-Mail →Produktspektrum luftgekühlter IGBT-Stacks. Die „klassische" SEMIKUBE Plattform bietet vier Baugrößen mit Dauernennströmen von 150 A bis 1500 A und nutzt IGBT-Module der Bauform SEMITRANS 3 in den Spannungsklassen 1200 V und 1700 V. Das SEMIKUBE Design ist für 3-Phasen-Wechselrichter in 2- und 3-Level-Topologien optimiert.
E-Mail →Bleibt der IGBT eingeschaltet, dann wächst der Strom zwar weiter, der Chip geht dabei aber in die Entsättigung, erreicht die SCSOA und kann innerhalb von 10µs sicher ausschalten. Die Messung in Bild 6 zeigt, dass
E-Mail →Echte Multiple-Source-Alternative zu Leistungsmodulen mit IGBTs der Generation 7; Leistung. Der 1200 V ROHM RGA IGBT weist wie IGBTs der Generation 7 einen niedrigen Abfall der Durchlassspannung auf. Das Schaltverhalten ist mit einer kleinen Anpassung des Gate-Widerstands bemerkenswert ähnlich.
E-Mail →Die Lotschicht zwischen dem Chip und dem DBC-Substrat ist nach der Lotschicht zwischen Bodenplatte und DBC-Substrat die nächstgrößte Schicht in einem Leistungsmodul. Durch das Ersetzen dieser Lotschichten durch eine Sinterverbindung können Betriebstemperatur und Lastwechselfestigkeit nochmals erhöht sowie die Wärmeabführung aus den Chips weiter
E-Mail →In die IGBT Module der T-Serie sind sowohl Verbesserungen am IGBT-Chip als auch neue Technologien für den internen Modul und Gehäuseaufbau eingeflossen. Somit steht eine Modulserie zur Verfügung, bei der die Verlustleistungen weiter reduziert werden konnte und gleichzeitig die Power-Cycling und die Thermal-Cycling-Capability verbessert wurde. . Beides
E-Mail →Vergleich der elektrischen Parameter zwischen IGBT 3 und IGBT 4. Ein weiterer wichtiger Aspekt bei der Entwicklung der neuen IGBT 4-Technologie war die Möglichkeit, das Bauelement bei einer um 25 K höheren Betriebstemperatur einsetzen zu können.Eine höhere Betriebstemperatur ermöglicht eine höhere Ausgangsleistung bei vergleichbaren
E-Mail →Der dafür verwendete Energiespeicher ist ein Kondensator, der von Gleichspannungsnetzteilen auf eine vordefinierte Spannung geladen wird. Der Strompuls beginnt, wenn der Kondensator über den Prüfling und einen zusätzlichen einstellbaren Widerstand in Reihenschaltung entladen wird. Ein schneller Halbleiterschalter für hohe Ströme definiert den
E-Mail →Hitachi Energy has achieved a breakthrough in its power semiconductor technology by introducing the 300 mm wafer. The innovative development boosts chip
E-Mail →Wassergekühlte IGBT-Stacks Produktspektrum. Die wassergekühlten SEMISTACK Plattformen ermöglichen mehrere Wechselrichter-Baugrößen. Die Standardgröße der SEMISTACK RE ist mit einem Strombereich zwischen 1000 A RMS und 1400 A RMS erhältlich. Eine kleinere Baugröße ist für Anwendungen mit geringerem Strombedarf oder Einschränkungen bzgl. der
E-Mail →Hitachi Energy''s IGBT modules are realized with Hitachi Energy''s advanced SPT and SPT+ (soft punch through) chip technology which combines high insulation with soft switching performance and rugged safe operating area (SOA).
E-Mail →Bei IGBT-Chips für die Leistungselektronik spricht man aktuell bereits imageträchtig von der Generation 7. Das vermittelt Innova- Energiespeicher, die Kondensatoren und Induktivitäten, und Übertrager kleiner ausfallen können. In der Aufbau- und Verbindungstech -
E-Mail →Die IGBT-Module von Mitsubishi weisen eine ausgereifte Chip-Technologie auf. Die CSTBT (Carrier Stored Bipolar Transistor) Technologie wurde von Mitsubishi entwickelt und wird in allen neuen IGBT-Modulen eingesetzt. Mit Hilfe dieses Chipaufbaus konnte Mitsubishi bei gleicher Stromtragfähigkeit die Durchlass- und Schaltverluste im Chip verringern.
E-Mail →BJX chip IGBT - IGBT module - IGBT transistors Introduction: BYD offers a wide range of high-performance semiconductor modules designed with industry-leading IGBT and IGBT transistors technology. These modules provides an optimum balance between high switching speed and low on-state losses, and can be configured to meet a variety of
E-Mail →This paper introduces the next (7 th) generation 6.5kV chip set, IGBT and FWDi, for high voltage IGBT (HVIGBT) modules. New technologies for both the IGBT and FWD chips
E-Mail →Das Geschäftsfeld Leistungselektronik des Fraunhofer ISIT entwickelt und fertigt innovative aktive und passive Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Silizium und Galliumnitrid, entwickelt daraus leistungselektronische Systeme und integriert diese mit leistungsfähigen Batteriespeichern für Spezialanwendungen zu Hochleistungsspeichersystemen.
E-Mail →Die diskreten 650 V CoolSiC Hybrid IGBTs folgen den bereits erfolgreich am Markt etablierten hybriden EasyPACK™ Modulen 1B und 2B mit IGBT-Chip und CoolSiC Schottky-Diode. Das diskrete Portfolio kann ab sofort bestellt werden und umfasst Varianten mit 40 A, 50 A und 75 A 650 V TRENCHSTOP 5 IGBTs.
E-Mail →SOLAR ENERGY bietet Ihnen ein engagiertes Team von Fachleuten, das auf die Entwicklung innovativer und nachhaltiger Speicherlösungen für Solarenergie spezialisiert ist. Wir konzentrieren uns auf effiziente Energiespeichersysteme, die sowohl für den privaten Haushalt als auch für die gewerbliche Nutzung optimiert sind. Unsere Technologien garantieren eine zuverlässige und umweltfreundliche Energieversorgung.
Mit mehr als zehn Jahren Erfahrung in der Entwicklung von Solarspeicherlösungen führt er unser Team in der Weiterentwicklung von flexiblen und effizienten Energiespeichern, die speziell auf die Bedürfnisse von Haushalten und Unternehmen zugeschnitten sind.
Sie bringt ihre Expertise in der Integration von Solarwechselrichtern in Energiespeichersysteme ein, um die Energieeffizienz zu maximieren und die Lebensdauer der Systeme zu verlängern, was besonders für kommerzielle Anwendungen von Bedeutung ist.
Sophie Weber ist verantwortlich für die Erweiterung des Marktes unserer flexiblen Solarspeichersysteme und deren Einführung in verschiedenen internationalen Märkten, während sie gleichzeitig die Optimierung der globalen Logistik und Lieferketten koordiniert.
Mit ihrer umfassenden Erfahrung unterstützt sie Kunden bei der Auswahl und Anpassung von Solarenergiespeichern, die perfekt auf die individuellen Anforderungen und Gegebenheiten abgestimmt sind, sei es für Haushalte oder Unternehmen.
Sie entwickelt und wartet Systeme zur Überwachung und Steuerung von Solarspeichersystemen, um die Stabilität und effiziente Nutzung von Energie für verschiedene Anwendungen zu gewährleisten, einschließlich für gewerbliche und industrielle Zwecke.
Wir bieten maßgeschneiderte Beratung und Lösungen für faltbare Solarspeicher, kompatible Wechselrichter und individuelle Energiemanagementsysteme für Projekte sowohl im privaten als auch im gewerblichen Bereich an.
* Wir werden uns innerhalb eines Werktages mit Ihnen in Verbindung setzen, um Ihnen die besten Lösungen für Ihre Energiespeicheranforderungen anzubieten.
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